半导体行业专用氮气发生器(腔体保护气，干泵吹扫气)NITROGEN-M-100/200采用膜分离技术，无须二次净化，即可连续获得洁净、干燥、无邻苯二甲酸酯的氮气，氮气纯度和流量稳定，使用寿命长。

半导体行业专用氮气发生器(腔体保护气，干泵吹扫气)

NITROGEN-M-100/200

Peculiar针对LC/MS 氮气流量、纯度、压力的特殊要求专门设计了安全、高效、方便的专用于

PECULIAR(UK)INSTRUMENT     TECHNOLOGY     LIMITED 英国普拉勒科技有限公司LC/MS 氮气发生器，产生纯度高达99.5%的洁净、干燥氮气，符合半导体行业腔体保护气，干泵吹扫气

要求，包含APCI及ESI接口。氮气发生器采用膜分离技术，无须二次净化，即可连续获得洁净、干

燥、无邻苯二甲酸酯的氮气，氮气纯度和流量稳定，使用寿命长。外置涡旋压缩机提高了空气供应

的安全性，流速范围从0-100L/min, 可同时为一台或多台仪器供应氮气。特殊机型可以定制，最

大流速范围可以达到200 L/min。

主要技术参数 |

MAIN          TECHNICAL          PARAMETERS

◎流量：0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作环境：5C-40℃   湿度80%

◎使用最高海拔：2200m

◎露点：<-55℃

◎颗粒：<0.01μm

◎滞留液体：无

◎邻苯二甲酸：无

◎噪声：<47dB(A)

◎开机纯化时间：30min

◎功率：8000W

◎电力要求：220V 50Hz